Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 11, страницы 1447–1457 (Mi phts7736)  
Эта публикация цитируется в 47 научных статьях (всего в 47 статьях)

Электронные свойства полупроводников

A DFT study of BeX (X = S, Se, Te) semiconductor: modified Becke Johnson (mBJ) potential

D. P. Raiab, M. P. Ghimirec, R. K. Thapab

a Beijing Computational Science Research Center, Beijing 100084, People’s Republic of China
b Dept. of Physics, Mizoram University, Aizawl, India-796004
c MANA, National Institute for Material Sciences, Tsukuba, Japan
PDF полного текста (2322 kB) Список цитирования (47)
Аннотация: The electronic, optical and elastic properties of BeX were performed within full potential liberalized augmented plane wave method based on density functional theory (DFT). Generalized gradient approximation (GGA) and modified Becke Johnson (TB-mBJ) potential were used for exchange correlation. The mBJ gives improved band gap as compare to GGA and in close agreement with the experimental results. The present band gaps of BeS, BeSe and BeTe calculated within mBJ are 4.40, 4.0 and 2.40 eV respectively.
Поступила в редакцию: 25.02.2014
Принята в печать: 11.03.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 11, Pages 1411–1422
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614110244
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: D. P. Rai, M. P. Ghimire, R. K. Thapa, “A DFT study of BeX (X = S, Se, Te) semiconductor: modified Becke Johnson (mBJ) potential”, Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014), 1447–1457; Semiconductors, 48:11 (2014), 1411–1422
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{RaiGhiTha14}
\by D.~P.~Rai, M.~P.~Ghimire, R.~K.~Thapa
\paper A DFT study of BeX (X = S, Se, Te) semiconductor: modified Becke Johnson (mBJ) potential
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 11
\pages 1447--1457
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7736}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=22018982}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 11
\pages 1411--1422
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782614110244}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7736
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i11/p1447
    • Эта публикация цитируется в следующих 47 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025