Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 11, страницы 1458–1466 (Mi phts7737)  

Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

Электронные свойства полупроводников

Гистерезисные явления в ДЭГ в режиме квантового эффекта Холла, исследованные в транспортном эксперименте

М. В. Буданцевa, Д. А. Похабовab, А. Г. Погосовab, Е. Ю. Ждановab, А. К. Бакаровa, А. И. Тороповa

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
b Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
Аннотация: Экспериментально исследовано неравновесное состояние двумерного электронного газа в режиме квантового эффекта Холла, проявляющееся в гистерезисе магнетосопротивления двумерного электронного газа сужением. Большая амплитуда гистерезиса позволила провести его последовательное феноменологическое описание. Проведены измерения минорных петель, восстановлена ангистерезисная кривая, изучена временная релаксация. Показано, что гистерезис имеет значительные феноменологические сходства с гистерезисом намагниченности ферромагнетиков, такие как мультистабильность, прыжки релаксации, возможность построения ангистерезисной кривой. Отличие заключается в необычном инвертированном (антикоэрцитивном) поведении гистерезиса. Временная релаксация имеет быструю и медленную фазу и напоминает релаксацию намагниченности двумерного электронного газа в режиме квантового эффекта Холла, что указывает на их общую природу. Исследована зависимость площади петли гистерезиса от литографической ширины сужения и обнаружено, что гистерезис исчезает при ширинах, больших критической ширины $\sim$1.35 мкм. Наличие критической ширины указывает на краевую природу неравновесных токов и позволяет определить их ширину ($\sim$0.5 мкм). Мы предлагаем качественную картину наблюдаемого гистерезиса, основанную на неравновесном перераспределении электронов между состояниями на уровнях Ландау и предполагающую значительное неравновесие между краевыми и объемными состояниями.
Поступила в редакцию: 13.03.2014
Принята в печать: 26.03.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 11, Pages 1423–1431
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614110074
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. В. Буданцев, Д. А. Похабов, А. Г. Погосов, Е. Ю. Жданов, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, “Гистерезисные явления в ДЭГ в режиме квантового эффекта Холла, исследованные в транспортном эксперименте”, Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014), 1458–1466; Semiconductors, 48:11 (2014), 1423–1431
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BudPokPog14}
\by М.~В.~Буданцев, Д.~А.~Похабов, А.~Г.~Погосов, Е.~Ю.~Жданов, А.~К.~Бакаров, А.~И.~Торопов
\paper Гистерезисные явления в ДЭГ в режиме квантового эффекта Холла, исследованные в транспортном эксперименте
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 11
\pages 1458--1466
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7737}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=22018983}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 11
\pages 1423--1431
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782614110074}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7737
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i11/p1458
  • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025