Электрические свойства FeGa$_2$Se$_4$ на переменном токе

Исследованы температурные и частотные зависимости диэлектрической проницаемости и электропроводности кристаллов FeGa$_2$Se$_4$ на переменном токе. Определены значения диэлектрической проницаемости. Предположено, что возрастание $\varepsilon'$ связано с увеличением концентрации дефектов с ростом температуры. Установлено, что в температурном интервале 294 – 374 K при частотах 10$^4$ – 2 $\cdot$ 10$^5$ Гц для электропроводности выполняется закономерность $\sigma\propto f^S$ (0.1 $\le S\le$ 1.0). B кристалле FeGa$_2$Se$_4$ изменение электропроводности в зависимости от частоты можно объяснить следующим образом: в кристаллах существуют кластеры, содержащие локализованные состояния с близкой энергией, и перескок электронов осуществляется между ними. В соединении FeGa$_2$Se$_4$ проводимость характеризуется зонно-прыжковыми механизмами.