Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 11, страницы 1484–1486 (Mi phts7742)  

Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Электронографические исследования образования фаз Tl–Fe–Se и кинетики фазовых превращений пленок TlFeSe$_2$

Э. Б. Аскеровab, А. И. Мададзадаac, Д. И. Исмаиловc, Р. Н. Мехтиеваa

a Объединенный институт ядерных исследований, 141980 Дубна, Россия
b Институт радиационных проблем НАН Азербайджана, Az-1143 Баку, Азербайджан
c Институт физики им. Г.М. Абдуллаева Национальной академии наук Азербайджана, Az-1143 Баку, Азербайджан
Аннотация: Методом электронографического структурного анализа и кинематической электронографией исследованы условия образования фаз в системе Tl–Fe–Se и кинетика кристаллизации аморфных пленок TlFeSe$_2$. Показано, что кристаллизация аморфных пленок TlFeSe$_2$ описывается аналитическим выражением кинетических кривых фазовых превращений $V_t=V_0[1-\exp(kt^m)]$. Определены мерность роста при кристаллизации аморфных пленок TlFeSe$_2$, равная 3, и значения энергии активации зародышеобразования и роста кристалликов.
Поступила в редакцию: 18.03.2014
Принята в печать: 28.03.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 11, Pages 1449–1451
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614110037
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Э. Б. Аскеров, А. И. Мададзада, Д. И. Исмаилов, Р. Н. Мехтиева, “Электронографические исследования образования фаз Tl–Fe–Se и кинетики фазовых превращений пленок TlFeSe$_2$”, Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014), 1484–1486; Semiconductors, 48:11 (2014), 1449–1451
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AskMadIsm14}
\by Э.~Б.~Аскеров, А.~И.~Мададзада, Д.~И.~Исмаилов, Р.~Н.~Мехтиева
\paper Электронографические исследования образования фаз Tl--Fe--Se и кинетики фазовых превращений пленок TlFeSe$_2$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 11
\pages 1484--1486
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7742}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=22018988}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 11
\pages 1449--1451
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782614110037}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7742
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i11/p1484
  • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025