|
|
Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 11, страницы 1484–1486
(Mi phts7742)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Поверхность, границы раздела, тонкие пленки
Электронографические исследования образования фаз Tl–Fe–Se и кинетики фазовых превращений пленок TlFeSe$_2$
Э. Б. Аскеровab, А. И. Мададзадаac, Д. И. Исмаиловc, Р. Н. Мехтиеваa a Объединенный институт ядерных исследований, 141980 Дубна, Россия
b Институт радиационных проблем НАН Азербайджана, Az-1143 Баку, Азербайджан
c Институт физики им. Г.М. Абдуллаева Национальной академии наук Азербайджана, Az-1143 Баку, Азербайджан
Аннотация:
Методом электронографического структурного анализа и кинематической электронографией исследованы условия образования фаз в системе Tl–Fe–Se и кинетика кристаллизации аморфных пленок TlFeSe$_2$. Показано, что кристаллизация аморфных пленок TlFeSe$_2$ описывается аналитическим выражением кинетических кривых фазовых превращений $V_t=V_0[1-\exp(kt^m)]$. Определены мерность роста при кристаллизации аморфных пленок TlFeSe$_2$, равная 3, и значения энергии активации зародышеобразования и роста кристалликов.
Поступила в редакцию: 18.03.2014 Принята в печать: 28.03.2014
Образец цитирования:
Э. Б. Аскеров, А. И. Мададзада, Д. И. Исмаилов, Р. Н. Мехтиева, “Электронографические исследования образования фаз Tl–Fe–Se и кинетики фазовых превращений пленок TlFeSe$_2$”, Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014), 1484–1486; Semiconductors, 48:11 (2014), 1449–1451
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts7742 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i11/p1484
|
|