|
|
Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 11, страницы 1487–1491
(Mi phts7743)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
Многослойные массивы квантовых точек высокой объемной плотности
А. М. Надточийabc, А. С. Паюсовab, М. В. Максимовabc, А. Е. Жуковabc, О. И. Симчукab a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
b Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет), 194021 Санкт-Петербург, Россия
c ООО "Солар Дотс", 194021 Санкт-Петербург, Россия
Аннотация:
Продемонстрирована возможность формирования многослойных (30 рядов) массивов квантовых точек InAs/GaAs с высоким структурным и оптическим качеством при малых толщинах спейсера (30–15 нм). В случае уменьшения толщины спейсера до 15 нм наблюдается значительная поляризация излучения, что говорит об электронном связывании отдельных квантовых точек за счет туннелирования.
Образец цитирования:
А. М. Надточий, А. С. Паюсов, М. В. Максимов, А. Е. Жуков, О. И. Симчук, “Многослойные массивы квантовых точек высокой объемной плотности”, Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014), 1487–1491; Semiconductors, 48:11 (2014), 1452–1455
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts7743 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i11/p1487
|
|