Особенности рекомбинационных потерь фототока в анизотипных гетеропереходах $n$-TiN/$p$-Si

Получены фоточувствительные гетероструктуры $n$-TiN/$p$-Si методом реактивного магнетронного распыления. Гетероструктуры генерируют напряжение холостого хода $V_{\mathrm{oc}}$ = 0.4 B и ток короткого замыкания $I_{\mathrm{sc}}$ = 1.36 мА/см$^2$ при освещении 80 мВт/см$^2$. Из анализа освещенной ВАХ и спектра квантовой эффективности установлено, что низкие фотоэлектрические параметры обусловлены рекомбинацией в базовой области гетероперехода и формированием высокоомного слоя SiO$_2$ на поверхности поликристаллического кремния, который не обеспечивает качественной пассивации поверхностных состояний.