Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 11, страницы 1543–1548 (Mi phts7753)  
Физика полупроводниковых приборов

Планарный микрорезонатор с содержащими центры окраски кремний–вакансия люминесцентными алмазными частицами в активном слое

С. А. Грудинкинab, Н. А. Феоктистовab, А. В. Медведевa, А. А. Дукинa, В. Г. Голубевab

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики, 197101 Санкт-Петербург, Россия
PDF полного текста (629 kB)
Аннотация: Планарный гибридный микрорезонатор с содержащими центры окраски кремний–вакансия (Si–V) изолированными алмазными частицами в активном слое изготовлен методами плазмохимического газофазного осаждения. Распределенные брэгговские отражатели получены на основе чередующихся четвертьволновых слоев $a$-Si$_{1-x}$C$_x$ : H и $a$-SiO$_2$. Центры окраски контролируемо вводились из газовой фазы в процессе роста алмазных частиц. В микрорезонаторе достигнуто сужение до 5 нм бесфононной линии на длине волны 738 нм и подавление фононного крыла в спектре фотолюминесценции центров окраски Si–V.
Поступила в редакцию: 08.04.2014
Принята в печать: 28.04.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 11, Pages 1507–1511
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614110128
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. А. Грудинкин, Н. А. Феоктистов, А. В. Медведев, А. А. Дукин, В. Г. Голубев, “Планарный микрорезонатор с содержащими центры окраски кремний–вакансия люминесцентными алмазными частицами в активном слое”, Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014), 1543–1548; Semiconductors, 48:11 (2014), 1507–1511
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GruFeoMed14}
\by С.~А.~Грудинкин, Н.~А.~Феоктистов, А.~В.~Медведев, А.~А.~Дукин, В.~Г.~Голубев
\paper Планарный микрорезонатор с содержащими центры окраски кремний--вакансия люминесцентными алмазными частицами в активном слое
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 11
\pages 1543--1548
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7753}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=22018999}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 11
\pages 1507--1511
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782614110128}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7753
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i11/p1543
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025