Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 11, страницы 1555–1561 (Mi phts7755)  
Эта публикация цитируется в 11 научных статьях (всего в 11 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Спектральные особенности фотоответа структур с наночастицами кремния

О. С. Кенa, Д. А. Андрониковa, Д. А. Явсинa, А. В. Кукинa, С. Н. Даниловb, А. Н. Смирновa, О. М. Среселиa, С. А. Гуревичa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт Петербург, Россия
b Регенсбургский университет, 93053 Регенсбург, Германия
PDF полного текста (306 kB) Список цитирования (11)
Аннотация: Исследованы спектральные характеристики фотоответа гетероструктур со слоями плотноупакованных аморфных наночастиц кремния, полученных методом лазерного электродиспергирования. Структуры характеризуются выпрямляющими свойствами. Отжиг на воздухе приводит к появлению в слоях наночастиц оксида кремния, кроме того, происходит частичная кристаллизация наночастиц. Спектральные характеристики фотоответа гетероструктур обладают рядом особенностей. По сравнению со стандартными кремниевыми фотодиодами спектр чувствительности исследованных структур сдвинут в коротковолновую область, причем сдвиг увеличивается после отжига. Структуры с отожженным слоем наночастиц обладают чувствительностью в области 350–600 нм, более чем на порядок превышающей чувствительность неотожженных структур. Этот эффект может быть связан с транзисторным усилением в структуре.
Поступила в редакцию: 10.06.2014
Принята в печать: 18.06.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 11, Pages 1518–1524
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261411013X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: О. С. Кен, Д. А. Андроников, Д. А. Явсин, А. В. Кукин, С. Н. Данилов, А. Н. Смирнов, О. М. Сресели, С. А. Гуревич, “Спектральные особенности фотоответа структур с наночастицами кремния”, Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014), 1555–1561; Semiconductors, 48:11 (2014), 1518–1524
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KenAndYav14}
\by О.~С.~Кен, Д.~А.~Андроников, Д.~А.~Явсин, А.~В.~Кукин, С.~Н.~Данилов, А.~Н.~Смирнов, О.~М.~Сресели, С.~А.~Гуревич
\paper Спектральные особенности фотоответа структур с наночастицами кремния
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 11
\pages 1555--1561
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7755}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=22019001}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 11
\pages 1518--1524
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261411013X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7755
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i11/p1555
    • Эта публикация цитируется в следующих 11 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025