|
|
Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 11, страницы 1562–1563
(Mi phts7756)
|
|
|
|
Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур
Образование фаз при взаимодействии тонких пленок системы Yb$_{1-x}$Sm$_x$Те–As$_2$Te$_3$
Э. Ш. Гаджиев Институт физики Национальной академии наук Азербайджана,
Az-1143 Баку, Азербайджан
Аннотация:
Исследовано образование фаз при взаимодействия тонких пленок Yb$_{1-x}$Sm$_x$Те ($x$ = 0.02) и As$_2$Te$_3$, полученных при одновременном и последовательном испарении. Показано, что в результате взаимодействий тонких пленок образуются фазы Yb$_{1-x}$Sm$_x$As$_4$Te$_7$ при температуре 473 K и Yb$_{1-x}$Sm$_x$As$_2$Te$_4$ при 503 K.
Поступила в редакцию: 15.05.2013 Принята в печать: 24.02.2014
Образец цитирования:
Э. Ш. Гаджиев, “Образование фаз при взаимодействии тонких пленок системы Yb$_{1-x}$Sm$_x$Те–As$_2$Te$_3$”, Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014), 1562–1563; Semiconductors, 48:11 (2014), 1525–1526
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts7756 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i11/p1562
|
|