Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 11, страницы 1564–1569 (Mi phts7757)  
Эта публикация цитируется в 9 научных статьях (всего в 9 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Структура и оптические свойства тонких пленок Al$_2$O$_3$, полученных методом реактивного ионно-плазменного распыления на подложках GaAs(100)

П. В. Серединa, Д. Л. Голощаповa, А. Н. Лукинa, А. С. Леньшинa, А. Д. Бондаревb, И. Н. Арсентьевb, Л. С. Вавиловаb, И. С. Тарасовb

a Воронежский государственный университет, 394006 Воронеж, Россия
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
PDF полного текста (737 kB) Список цитирования (9)
Аннотация: Методами структурного анализа и оптической спектроскопии исследованы свойства ультратонких пленок Al$_2$O$_3$, полученных на установке ионно-плазменного распыления. Удалось показать, что используемый технологический метод позволяет получать аморфные, гладкие, ультратонкие пленки, беспористые и практически однородные, с зарождающимися в них кристаллами $\alpha$-фазы оксида алюминия Al$_2$O$_3$. При этом пленки отлично пропускают оптическое излучение в инфракрасном, видимом, ультрафиолетовом диапазонах и потенциально значимы для создания на их основе просветляющих покрытий зеркал мощных полупроводниковых лазеров на основе A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$.
Поступила в редакцию: 20.03.2014
Принята в печать: 28.03.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 11, Pages 1527–1531
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614110256
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, А. Н. Лукин, А. С. Леньшин, А. Д. Бондарев, И. Н. Арсентьев, Л. С. Вавилова, И. С. Тарасов, “Структура и оптические свойства тонких пленок Al$_2$O$_3$, полученных методом реактивного ионно-плазменного распыления на подложках GaAs(100)”, Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014), 1564–1569; Semiconductors, 48:11 (2014), 1527–1531
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SerGolLuk14}
\by П.~В.~Середин, Д.~Л.~Голощапов, А.~Н.~Лукин, А.~С.~Леньшин, А.~Д.~Бондарев, И.~Н.~Арсентьев, Л.~С.~Вавилова, И.~С.~Тарасов
\paper Структура и оптические свойства тонких пленок Al$_2$O$_3$, полученных методом реактивного ионно-плазменного распыления на подложках GaAs(100)
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 11
\pages 1564--1569
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7757}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=22019003}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 11
\pages 1527--1531
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782614110256}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7757
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i11/p1564
    • Эта публикация цитируется в следующих 9 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025