Зависимость скорости роста слоя AlN от величины зазора между источником и подложкой при сублимационном методе выращивания

В предлагаемой работе, посвященной изучению условий роста толстых слоев и объемных кристаллов АlN в сублимационном сандвич-методе, впервые для этого материала экспериментально получены зависимости скорости роста слоя от величины зазора источник-подложка для двух значений давления азота в реакторе: 0.3 и 0.6 бар. Полученные результаты указывают на то, что основным механизмом переноса компонентов источника на подложку является диффузия. Вклад кинетических эффектов становится заметным при минимальном зазоре 0.3 мм, особенно при меньшем давлении азота, 0.3 бар.