Особенности хлорид-гидридной эпитаксии нитридных материалов на подложке кремния

Исследованы особенности выращивания гетерокомпозиции GaN/AlN/Si, в которой слои нитридов элементов III группы выращены на кремниевой подложке методом хлорид-гидридной эпитаксии. Рассмотрено влияние температуры выращивания буферного слоя AlN на диффузионные процессы на гетерограницах и на качество выращиваемых эпитаксиальных слоев. Показано, что при используемом методе эпитаксии буферный слой должен выращиваться при высоких температурах (1080$^\circ$C), поскольку при этом минимизируется толщина области перемешивания компонентов и формируются резкие границы раздела в гетерокомпозиции GaN/AlN/Si. Двухстадийное выращивание нитрида галлия на высокотемпературном буферном слое AlN толщиной 300–400 нм позволяет получать слои GaN толщиной до 0.3 мкм без образования трещин.