Влияние локальных дефектов структуры на преципитацию As вблизи квантовых точек InAs в матрице GaAs

Проведены электронно-микроскопические исследования структур GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии и содержащих массивы полупроводниковых квантовых точек InAs и металлических квантовых точек As. Массив квантовых точек InAs формировался по механизму Странского–Крастанова и состоял из 5 слоев вертикально сопряженных квантовых точек, разделенных спейсером GaAs толщиной 5 нм. Массив квантовых точек As формировался в обогащенном мышьяком слое GaAs, выращенном при низкой температуре поверх массива квантовых точек InAs, путем постростовых отжигов при температурах 400–600$^\circ$C в течение 15 мин. Обнаружено, что в процессе выращивания структуры вблизи квантовых точек InAs образуются дефекты несоответствия, представляющие собой 60-градусные или краевые дислокации, лежащие в плоскостях гетероинтерфейса полупроводниковых квантовых точек и прорастающие к поверхности сквозь слой “низкотемпературного” GaAs. Наличие таких дефектов структуры приводит к формированию квантовых точек As вблизи середины сопряженных квантовых точек InAs за пределами слоя “низкотемпературного” GaAs.