Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 12, страницы 1607–1610 (Mi phts7765)  
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Наноструктурированные халькогенидные пленки Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$, полученные методом лазерного электродиспергирования

Д. А. Явсин, В. М. Кожевин, С. А. Гуревич, С. А. Яковлев, Б. Т. Мелех, М. А. Яговкина, А. Б. Певцов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
PDF полного текста (990 kB) Список цитирования (7)
Аннотация: Методом лазерного электродиспергирования получены аморфные наноструктурированные пленки сложного халькогенида (Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$) и исследованы их структурные и электрические свойства. Установлено, что характерный размер аморфных наночастиц Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$ в структуре пленок составляет 1.5–5 нм.
Поступила в редакцию: 13.05.2014
Принята в печать: 20.05.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 12, Pages 1567–1570
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614120239
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. А. Явсин, В. М. Кожевин, С. А. Гуревич, С. А. Яковлев, Б. Т. Мелех, М. А. Яговкина, А. Б. Певцов, “Наноструктурированные халькогенидные пленки Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$, полученные методом лазерного электродиспергирования”, Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014), 1607–1610; Semiconductors, 48:12 (2014), 1567–1570
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{YavKozGur14}
\by Д.~А.~Явсин, В.~М.~Кожевин, С.~А.~Гуревич, С.~А.~Яковлев, Б.~Т.~Мелех, М.~А.~Яговкина, А.~Б.~Певцов
\paper Наноструктурированные халькогенидные пленки Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$, полученные методом лазерного электродиспергирования
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 12
\pages 1607--1610
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7765}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=22019012}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 12
\pages 1567--1570
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782614120239}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7765
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i12/p1607
    • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025