Ионная имплантация фосфора как метод пассивации состояний на границе раздела 4H-SiC и SiO$_2$, полученного термическим окислением в атмосфере сухого кислорода

Предложен метод снижения плотности поверхностных состояний на границе раздела 4H-SiC/SiO$_2$ путём имплантации ионов фосфора в эпитаксиальный слой 4H-SiC непосредственно перед термическим ростом подзатворного диэлектрика в атмосфере сухого кислорода. Значительное снижение плотности поверхностных состояний наблюдается при концентрации ионов фосфора на интерфейсе SiO$_2$/SiC, превышающей 10$^{18}$ см$^{-3}$. Однако наряду с пассивацией поверхностных состояний внедрение ионов фосфора приводит к увеличению встроенного заряда в диэлектрике, а также незначительно снижает надежность подзатворного диэлектрика, изготовленного по данной технологии.