|
|
Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 12, страницы 1632–1639
(Mi phts7769)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
Магнито-оптические исследования ансамблей полумагнитных квантовых точек CdSe/ZnMnSe с модулированным легированием $n$-типа
И. И. Решина, С. В. Иванов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
Аннотация:
Проведены магнитные и поляризационные исследования фотолюминесценции и резонансного рамановского спин-флип рассеяния электронов в ансамблях самоорганизованных полумагнитных квантовых точек CdSe/ZnMnSe c модулированным легированием $n$-типа. В интенсивность полосы фотолюминесценции наряду с переходами трионов в синглетном состоянии вносят вклад и экситонные переходы. Как показали измерения эффекта Ханле, в нулевом магнитном поле наблюдалась отрицательная циркулярная поляризация, связанная с оптической ориентацией тяжелой дырки триона. Время жизни и время спиновой релаксации тяжелой дырки оценено как $\le$ 3 пс и $\le$ 1 пс соответственно. Предполагается, что столь малые времена связаны с процессом оже-рекомбинации с возбуждением внутреннего перехода в ионе Mn$^{2+}$.
Исследования интенсивности и сдвига максимума фотолюминесценции в продольном магнитном поле в двух поляризациях $\sigma^-\sigma^+$ и $\sigma^-\sigma^-$ свидетельствуют о сильной спиновой поляризации электронов. В условиях резонансного возбуждения наблюдалось сильное возрастание интенсивности в максимуме полосы ФЛ при поляризации возбуждения $\sigma^-$ по сравнению с поляризацией $\sigma^+$.
При резонансном возбуждении в поперечном магнитном поле в скрещенных линейных поляризациях наблюдался пик рамановского рассеяния на электронном спин-флип переходе, обладающий бриллюэновской зависимостью от магнитного поля.
Поступила в редакцию: 17.12.2013 Принята в печать: 20.05.2014
Образец цитирования:
И. И. Решина, С. В. Иванов, “Магнито-оптические исследования ансамблей полумагнитных квантовых точек CdSe/ZnMnSe с модулированным легированием $n$-типа”, Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014), 1632–1639; Semiconductors, 48:12 (2014), 1592–1399
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts7769 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i12/p1632
|
|