Оптически-детектируемый циклотронный резонанс в сильно легированных бором кремниевых наноструктурах на поверхности кремния (100)

Циклотронный резонанс электронов и дырок на частоте 94 ГГц регистрируется по изменению интенсивности линий фотолюминесценции, совпадающих по положению с линиями дислокационной люминесценции D1 и D2 в монокристаллическом кремнии, в сильно легированных бором кремниевых наноструктурах на поверхности Si(100). Угловая зависимость спектра оптически-детектируемого циклотронного резонанса соответствует тензору эффективной массы электронов и дырок в монокристаллическом кремнии, а ширина резонансных линий указывает на большие времена свободного пробега носителей, близкие к 100 пс. Полученные результаты обсуждаются в рамках взаимосвязанности электрон-колебательного взаимодействия с зарядовыми и спиновыми корреляциями в квазиодномерных цепочках оборванных связей в кремнии.