Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 12, страницы 1654–1659 (Mi phts7772)  

Эта публикация цитируется в 11 научных статьях (всего в 11 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Оптические свойства нитевидных наноструктур, полученных металлстимулированным химическим травлением пластин слабо легированного кристаллического кремния

К. А. Гончарa, Л. А. Осминкинаa, В. Сиваковb, В. Лысенкоc, В. Ю. Тимошенкоa

a Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, 119991 Москва, Россия
b Leibniz Institute of Photonic Technology, D-07745 Jena, Germany
c Nanotechnology Institute of Lyon, 69621 INSA de Lyon, France
Аннотация: Методами спектроскопии отражения, комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции были исследованы слои кремниевых нанонитей с диаметрами 20–200 нм, выращенных металлстимулированным травлением монокристаллических кремниевых подложек $p$-типа с удельным сопротивлением 1–20 Ом $\cdot$ см и ориентацией поверхности (100), полученных от трех компаний-производителей и характеризующихся различным временем жизни фотовозбужденных носителей заряда. Установлено, что для нанонитей с длиной более 1 мкм интенсивность комбинационного рассеяния в 3–5 раз превышает значение для подложек. Интенсивность межзонной фотолюминесценции на длине волны 1.12 мкм для нанонитей значительно превышала уровень для подложек и была максимальна для образцов с наибольшим объемным временем жизни, что указывает на низкий уровень темпа безызлучательной рекомбинации на поверхности нанонитей.
Поступила в редакцию: 28.05.2014
Принята в печать: 09.06.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 12, Pages 1613–1618
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614120082
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: К. А. Гончар, Л. А. Осминкина, В. Сиваков, В. Лысенко, В. Ю. Тимошенко, “Оптические свойства нитевидных наноструктур, полученных металлстимулированным химическим травлением пластин слабо легированного кристаллического кремния”, Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014), 1654–1659; Semiconductors, 48:12 (2014), 1613–1618
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GonOsmSiv14}
\by К.~А.~Гончар, Л.~А.~Осминкина, В.~Сиваков, В.~Лысенко, В.~Ю.~Тимошенко
\paper Оптические свойства нитевидных наноструктур, полученных металлстимулированным химическим травлением пластин слабо легированного кристаллического кремния
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 12
\pages 1654--1659
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7772}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=22019020}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 12
\pages 1613--1618
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782614120082}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7772
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i12/p1654
  • Эта публикация цитируется в следующих 11 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025