Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 12, страницы 1660–1665 (Mi phts7773)  
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Увеличение подвижности электронов в НЕМТ гетероструктурах с составным спейсером, содержащим нанослои AlAs

А. Н. Виниченко, В. П. Гладков, Н. И. Каргин, М. Н. Стриханов, И. С. Васильевский

Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", 115409 Москва, Россия
PDF полного текста (190 kB) Список цитирования (7)
Аннотация: Теоретически и экспериментально показано влияние гибридизации квантовых состояний на электронный транспорт в $\delta$-легированной через спейсер двухбарьерной квантовой яме в пределе сильного легирования. Предложен способ увеличения подвижности электронов в квантовой яме за счет подавления туннельной связи с областью доноров за счет введения наноразмерного барьера AlAs в спейсер. Экспериментально показано, что в образцах с неглубокой КЯ введенный в спейсер нанобарьер AlAs приводит к более чем 3-кратному увеличению подвижности электронов при низких температурах.
Поступила в редакцию: 29.05.2014
Принята в печать: 09.06.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 12, Pages 1619–1625
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614120227
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Н. Виниченко, В. П. Гладков, Н. И. Каргин, М. Н. Стриханов, И. С. Васильевский, “Увеличение подвижности электронов в НЕМТ гетероструктурах с составным спейсером, содержащим нанослои AlAs”, Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014), 1660–1665; Semiconductors, 48:12 (2014), 1619–1625
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{VinGlaKar14}
\by А.~Н.~Виниченко, В.~П.~Гладков, Н.~И.~Каргин, М.~Н.~Стриханов, И.~С.~Васильевский
\paper Увеличение подвижности электронов в НЕМТ гетероструктурах с составным спейсером, содержащим нанослои AlAs
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 12
\pages 1660--1665
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7773}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=22019021}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 12
\pages 1619--1625
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782614120227}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7773
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i12/p1660
    • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025