Матрица проводимости мультиконтактных полупроводниковых структур с краевыми каналами

Предложен метод определения матрицы проводимости мультиконтактных полупроводниковых структур с краевыми каналами. В основе метода лежит решение системы линейных алгебраических уравнений на базе уравнений Кирхгофа, составленных из разностей потенциалов $U_{ij}$, измеренных при стабилизации токов $I_{kl}$, где $i$, $j$, $k$, $l$ – номера контактов. Матрица, полученная в результате решения системы уравнений, полностью описывает исследуемую структуру, отражая ее геометрию и однородность. Данный метод может найти широкое применение при использовании известного формализма Ландауэра–Буттикера для анализа транспорта носителей в режимах квантового эффекта Холла и квантового спинового эффекта Холла. В рамках предлагаемого метода учитывается вклад сопротивления контактных площадок, $R_c$, в формирование элементов матрицы проводимости. Рассматриваются возможности практического применения полученных результатов при разработке аналоговых криптографических устройств.