Пикосекундное переключение высоковольтных обратносмещенных $p^+$–$n$–$n^+$-структур в проводящее состояние при импульсном освещении

Построена аналитическая теория пикосекундного переключения высоковольтных обратносмещенных $p^+$–$n$–$n^+$-структур в проводящее состояние при воздействии импульсного освещения и проведено численное моделирование этого процесса. Объединение результатов теории и моделирования позволило получить простые соотношения между параметрами структуры, светового импульса, внешней цепи и основными характеристиками процесса – амплитудой импульса тока активной нагрузки и длительностью процесса коммутации.