Мощные светодиоды на основе гетероструктур InGaAsP/InP

На основе гетероструктур InGaAsP/InP созданы мощные светодиоды с диаметром мезы 100, 200 и 300 мкм. Форма мез близка к форме усеченного конуса с наклоном образующей $\sim$ 45$^\circ$ в окрестности активной области светодиода, при этом вытравленное вокруг мезы кольцо служит отражателем. Исследованы спектры и диаграммы направленности излучения таких светодиодов в широком интервале плотностей тока и показано, что излучательная рекомбинация преобладает вплоть до плотности тока $\sim$ 5000 А/см$^2$, что делает эти структуры перспективными для создания мощных светодиодов. Получена в непрерывном режиме мощность излучения 14 мВт ($I$ = 0.2 А, $\lambda$ = 1.1 мкм), а в импульсном режиме 77 мВт ($I$ = 2 А, $\lambda$ = 1.1 мкм), что соответствует внешнему квантовому выходу излучения 6.2 и 3.4 соответственно.