Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 12, страницы 1697–1703 (Mi phts7779)  

Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Влияние времени жизни фотонов в оптическом микрорезонаторе на характеристики вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм с легированными распределенными брэгговскими отражателями и оксидной токовой апертурой

М. А. Бобровa, С. А. Блохинa, А. Г. Кузьменковab, Н. А. Малеевa, А. А. Блохинc, Ю. М. Задирановa, Е. В. Никитинаd, В. М. Устиновa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
b Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
c Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия
d Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет), 194021 Санкт-Петербург, Россия
Аннотация: Исследовано влияние времени жизни фотонов в оптическом микрорезонаторе на характеристики вертикально-излучающих лазеров (ВИЛ) спектрального диапазона 850 нм с легированными распределенными брэгговскими отражателями и оксидной токовой апертурой. Управление временем жизни фотонов в микрорезонаторе осуществлялось путем изменения коэффициента отражения верхнего брэгговского отражателя. Обнаружено, что быстродействие ВИЛ с диаметром токовой апертуры 10 мкм в основном лимитируется эффектом саморазогрева, несмотря на рост коэффициента затухания релаксационных колебаний при увеличении времени жизни фотонов в микрорезонаторе. В то же время более высокий уровень внутренних оптических потерь в лазерах с диаметром токовой апертуры 1.5 мкм приводит к доминированию эффекта демпфирования релаксационных колебаний независимо от уровня потерь на вывод излучения. В случае приборов с диаметром токовой апертуры 5.5 мкм действуют оба механизма, лимитирующих быстродействие, что позволило увеличить частоту эффективной модуляции ВИЛ с 21 до 24 ГГц при уменьшении времени жизни фотонов с 3.7 до 0.8 пс.
Поступила в редакцию: 20.05.2014
Принята в печать: 30.05.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 12, Pages 1657–1663
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614120033
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. А. Бобров, С. А. Блохин, А. Г. Кузьменков, Н. А. Малеев, А. А. Блохин, Ю. М. Задиранов, Е. В. Никитина, В. М. Устинов, “Влияние времени жизни фотонов в оптическом микрорезонаторе на характеристики вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм с легированными распределенными брэгговскими отражателями и оксидной токовой апертурой”, Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014), 1697–1703; Semiconductors, 48:12 (2014), 1657–1663
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BobBloKuz14}
\by М.~А.~Бобров, С.~А.~Блохин, А.~Г.~Кузьменков, Н.~А.~Малеев, А.~А.~Блохин, Ю.~М.~Задиранов, Е.~В.~Никитина, В.~М.~Устинов
\paper Влияние времени жизни фотонов в оптическом микрорезонаторе на характеристики вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм с легированными распределенными брэгговскими отражателями и оксидной токовой апертурой
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 12
\pages 1697--1703
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7779}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=22019027}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 12
\pages 1657--1663
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782614120033}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7779
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i12/p1697
  • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025