Применение двухслойных пленок ITO в составе отражающих контактов светодиодов синего и ближнего ультрафиолетового диапазонов

Исследованы структурные и оптические свойства многослойных композиций ITO/SiO$_2$/Ag, в которых слой ITO (оксид индия и олова) был получен двумя различными методами: электронно-лучевым испарением и комбинированным способом, включающим электронно-лучевое испарение и последующее магнетронное напыление. Показано, что отражающая способность композиции на основе пленки ITO, полученной методом электронно-лучевого испарения, существенно ниже. Это можно объяснить значительным поглощением света на обеих границах слоя SiO$_2$, возникающим вследствие сложного рельефа поверхности пленок ITO, напыленных электронно-лучевым испарением. Образцы с пленкой, полученной методом комбинированного нанесения, имеют коэффициент отражения на уровне 90% при нормальном падении излучения, что в совокупности с их большей электропроводностью обеспечивает им преимущество для применения в качестве отражающих контактов к области $p$-GaN AlInGaN-светодиодов флип-чип конструкции.