Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2025, том 59, выпуск 3, страницы 136–140
DOI: https://doi.org/10.61011/FTP.2025.03.61091.7749 (Mi phts7786) 		 
XXIX Симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Н. Новгород, 10-14 марта 2025 г.

Эластичный светодиод на основе InGaN/GaN-нитевидных микрокристаллов с растяжимыми электродами на основе текстурированных одностенных углеродных нанотрубок и полидиметилсилоксана

Д. Е. Колесинаa, Ф. М. Кочетковab, А. А. Воробьевa, К. Н. Новиковаa, А. С. Голтаевa, И. С. Мухинab

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, 195251 Санкт-Петербург, Россия
PDF полного текста (594 kB)
DOI: https://doi.org/10.61011/FTP.2025.03.61091.7749
Аннотация: Представлено создание эластичного светодиода на основе инкапсулированного массива нитевидных микрокристаллов структуры “ядро-оболочка” InGaN/GaN в коммерческий полидиметисилоксан “Sylgard 184”. Для улучшения электрических, механических свойств и удобства измерений методом проекционной оптической литографии были созданы верхний – адресный и нижний – общий пиксельные электроды. Были измерены электрофизические и оптические характеристики устройства, которые показывают, что светодиод, излучающий в синем спектральном диапазоне, обладает стабильной работой при растяжении на 10%.
Ключевые слова: эластичная электроника, синие светодиоды, А$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ нитевидные микрокристаллы, ПДМС, углеродные нанотрубки, проекционная оптическая литография.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации FSRM-2023–0007
Работа выполнена при поддержке Министерства образования и науки в рамках гранта FSRM-2023–0007.
Поступила в редакцию: 26.03.2025
Исправленный вариант: 23.06.2025
Принята в печать: 23.06.2025
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. Е. Колесина, Ф. М. Кочетков, А. А. Воробьев, К. Н. Новикова, А. С. Голтаев, И. С. Мухин, “Эластичный светодиод на основе InGaN/GaN-нитевидных микрокристаллов с растяжимыми электродами на основе текстурированных одностенных углеродных нанотрубок и полидиметилсилоксана”, Физика и техника полупроводников, 59:3 (2025), 136–140
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KolKocVor25}
\by Д.~Е.~Колесина, Ф.~М.~Кочетков, А.~А.~Воробьев, К.~Н.~Новикова, А.~С.~Голтаев, И.~С.~Мухин
\paper Эластичный светодиод на основе InGaN/GaN-нитевидных микрокристаллов с растяжимыми электродами на основе текстурированных одностенных углеродных нанотрубок и полидиметилсилоксана
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2025
\vol 59
\issue 3
\pages 136--140
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7786}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7786
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v59/i3/p136
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:51
    PDF полного текста:23
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026