Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 1, страницы 9–14 (Mi phts7795)  
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)

Свойства эпитаксиальных твердых растворов (Al$_x$Ga$_{1-x}$As)$_{1-y}$C$_y$, выращенных МОС-гидридной автоэпитаксией

П. В. Серединa, Э. П. Домашевскаяa, И. Н. Арсентьевb, Д. А. Винокуровb, А. Л. Станкевичb

a Воронежский государственный университет
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (330 kB) Список цитирования (7)
Аннотация: Рост эпитаксиальных твердых растворов Al$_x$Ga$_{1-x}$As : C методом МОС-гидридной эпитаксии при низких температурах приводит к образованию четверных твердых растворов (Al$_x$Ga$_{1-x}$As)$_{1-y}$C$_y$, в которых атомы углерода могут концентрироваться на дефектах кристаллической решетки эпитаксиального твердого раствора с образованием нанокластеров примеси.
Поступила в редакцию: 11.04.2012
Принята в печать: 25.04.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 1, Pages 7–12
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613010211
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: П. В. Середин, Э. П. Домашевская, И. Н. Арсентьев, Д. А. Винокуров, А. Л. Станкевич, “Свойства эпитаксиальных твердых растворов (Al$_x$Ga$_{1-x}$As)$_{1-y}$C$_y$, выращенных МОС-гидридной автоэпитаксией”, Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013), 9–14; Semiconductors, 47:1 (2013), 7–12
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SerDomArs13}
\by П.~В.~Середин, Э.~П.~Домашевская, И.~Н.~Арсентьев, Д.~А.~Винокуров, А.~Л.~Станкевич
\paper Свойства эпитаксиальных твердых растворов (Al$_x$Ga$_{1-x}$As)$_{1-y}$C$_y$, выращенных МОС-гидридной автоэпитаксией
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 1
\pages 9--14
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7795}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319332}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 1
\pages 7--12
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613010211}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7795
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i1/p9
    • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025