Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 1, страницы 18–23 (Mi phts7797)  

Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

Электронные свойства полупроводников

Особенности энергетического спектра и механизмов рассеяния дырок в PbSb$_2$Te$_4$

С. А. Немовab, Н. М. Благихa, Л. Е. Шелимоваc

a Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Институт металлургии и материаловедения им. А. А. Байкова РАН, г. Москва
Аннотация: На серии кристаллов PbSb$_2$Te$_4$ легированных медью, с различной концентрацией дырок (1.6 – 3.2) $\cdot$ 10$^{20}$ см$^{-3}$ исследованы кинетические коэффициенты Холла $R_{ikl}$, электропроводности $\sigma_{kk}$, термоэдс $\alpha_{kk}$ и их анизотропия в диапазоне температур 77–450 K. Наблюдаемая во всех исследованных кристаллах анизотропия термоэдс свидетельствует о смешанном механизме рассеяния дырок. Основными механизмами рассеяния являются рассеяние на акустических фононах и кулоновском потенциале примесей и дефектов. Определены экспериментальные эффективные параметры рассеяния и парциальные подвижности в плоскости скола и вдоль тригональной оси. Теоретические оценки подвижности находятся в удовлетворительном согласии с экспериментом. Установлено, что характер температурной зависимости отношения $\alpha_{kk}/T=f(T)$ определяется величиной концентрации дырок. Показано, что для кристалла с $p_{min}$ = 1.6 $\cdot$ 10$^{20}$ см$^{-3}$ электрофизические свойства могут быть описаны в рамках однозонной модели, оценена величина эффективной массы плотности состояний дырок в основном экстремуме валентной зоны $m_d\approx$ 0.5$m_0$. Сделана оценка энергетического зазора между экстремумами валентной зоны $\Delta E_v\approx$ 0.23 эВ.
Поступила в редакцию: 16.07.2012
Принята в печать: 25.07.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 1, Pages 16–21
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261301017X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. А. Немов, Н. М. Благих, Л. Е. Шелимова, “Особенности энергетического спектра и механизмов рассеяния дырок в PbSb$_2$Te$_4$”, Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013), 18–23; Semiconductors, 47:1 (2013), 16–21
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{NemBlaShe13}
\by С.~А.~Немов, Н.~М.~Благих, Л.~Е.~Шелимова
\paper Особенности энергетического спектра и механизмов рассеяния дырок в PbSb$_2$Te$_4$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 1
\pages 18--23
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7797}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319334}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 1
\pages 16--21
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261301017X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7797
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i1/p18
  • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025