|
|
Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 1, страницы 18–23
(Mi phts7797)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)
Электронные свойства полупроводников
Особенности энергетического спектра и механизмов рассеяния дырок в PbSb$_2$Te$_4$
С. А. Немовab, Н. М. Благихa, Л. Е. Шелимоваc a Санкт-Петербургский государственный политехнический университет,
195251 Санкт-Петербург, Россия
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Институт металлургии и материаловедения им. А. А. Байкова РАН, г. Москва
Аннотация:
На серии кристаллов PbSb$_2$Te$_4$ легированных медью, с различной концентрацией дырок (1.6 – 3.2) $\cdot$ 10$^{20}$ см$^{-3}$ исследованы кинетические коэффициенты Холла $R_{ikl}$, электропроводности $\sigma_{kk}$, термоэдс $\alpha_{kk}$ и их анизотропия в диапазоне температур 77–450 K. Наблюдаемая во всех исследованных кристаллах анизотропия термоэдс свидетельствует о смешанном механизме рассеяния дырок. Основными механизмами рассеяния являются рассеяние на акустических фононах и кулоновском потенциале примесей и дефектов. Определены экспериментальные эффективные параметры рассеяния и парциальные подвижности в плоскости скола и вдоль тригональной оси. Теоретические оценки подвижности находятся в удовлетворительном согласии с экспериментом. Установлено, что характер температурной зависимости отношения $\alpha_{kk}/T=f(T)$ определяется величиной концентрации дырок. Показано, что для кристалла с $p_{min}$ = 1.6 $\cdot$ 10$^{20}$ см$^{-3}$ электрофизические свойства могут быть описаны в рамках однозонной модели, оценена величина эффективной массы плотности состояний дырок в основном экстремуме валентной зоны $m_d\approx$ 0.5$m_0$. Сделана оценка энергетического зазора между экстремумами валентной зоны $\Delta E_v\approx$ 0.23 эВ.
Поступила в редакцию: 16.07.2012 Принята в печать: 25.07.2012
Образец цитирования:
С. А. Немов, Н. М. Благих, Л. Е. Шелимова, “Особенности энергетического спектра и механизмов рассеяния дырок в PbSb$_2$Te$_4$”, Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013), 18–23; Semiconductors, 47:1 (2013), 16–21
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts7797 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i1/p18
|
|