Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 1, страницы 24–29 (Mi phts7798)  
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Время жизни носителей заряда в квантовых точках при низких температурах

Д. М. Самосват, В. П. Евтихиев, А. С. Школьник, Г. Г. Зегря

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (207 kB) Список цитирования (4)
Аннотация: Экспериментально и теоретически изучено время жизни неравновесных носителей заряда в квантовой точке. Показано, что при низких температурах, когда полностью заполнено основное состояние, время жизни практически не зависит от плотности возбуждения и определяется только процессом излучательной рекомбинации. Дано теоретическое объяснение такого поведения и показано, что при условии полного заполнения основного состояния процесс оже-рекомбинации может быть подавлен за счет влияния спиновых эффектов. Проведено микроскопическое описание механизма подавления процесса оже-рекомбинации в такой системе.
Поступила в редакцию: 16.04.2012
Принята в печать: 25.04.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 1, Pages 22–27
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613010193
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. М. Самосват, В. П. Евтихиев, А. С. Школьник, Г. Г. Зегря, “Время жизни носителей заряда в квантовых точках при низких температурах”, Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013), 24–29; Semiconductors, 47:1 (2013), 22–27
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SamEvtShk13}
\by Д.~М.~Самосват, В.~П.~Евтихиев, А.~С.~Школьник, Г.~Г.~Зегря
\paper Время жизни носителей заряда в квантовых точках при низких температурах
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 1
\pages 24--29
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7798}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319335}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 1
\pages 22--27
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613010193}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7798
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i1/p24
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025