Двухцветная люминесценция в одиночной гетероструктуре II типа InAsSbP/InAs

Впервые методом градиентной сканирующей кельвин-зонд микроскопии были исследованы $p$–$n$-гетеропереходы на основе узкозонных соединений в системе твердых растворов In-As-Sb-P. На примере одиночной гетероструктуры II типа $p$-InAsSbP/$n$-InAs было продемонстрировано перераспределение потока инжектируемых носителей в образце вдоль направления внешнего электрического поля. При приложении к гетероструктуре прямого смещения наблюдалась двухполосная люминесценция – интерфейсная на гетерогранице $p$-InAsSbP/$p$-InAs и объемная в арсениде индия. При этом было показано, что непрямые (интерфейсные) переходы демонстрировали большую эффективность излучательной рекомбинации, чем прямые межзонные. Наблюдение многополосных спектров электролюминесценции открывает путь к созданию многоцветных светодиодов для среднего инфракрасного диапазона 3–5 мкм на основе одной гетероструктуры.