Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 1, страницы 53–59 (Mi phts7802)  
Эта публикация цитируется в 18 научных статьях (всего в 18 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Радиальный рост и форма полупроводниковых нитевидных нанокристаллов

В. Г. Дубровскийabc, М. А. Тимофееваa, M. Tchernychevad, А. Д. Большаковa

a Санкт-Петербургский академический университет, 194021 Санкт-Петербург, Россия
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Санкт-Петербургский государственный университет, физический факультет
d Institut d’Electronique Fondamentale UMR 8622 CNRS, Universite Paris-Sud, 91405 Orsay Cedex, France
PDF полного текста (661 kB) Список цитирования (18)
Аннотация: Посвящана теоретическому исследованию радиального роста полупроводниковых нитевидных нанокристаллов и его влияния на форму нитевидных нанокристаллов при диффузионном механизме формирования нанокристаллов. Найдены возможные типы зависимости концентрации адатомов на боковых гранях нитевидных нанокристаллов от вертикальной координаты. В линейной аппроксимации по концентрации адатомов построена самосогласованная модель, позволяющая описывать одновременно и вертикальный, и радиальный рост нитевидных нанокристаллов. В рамках построенной модели описаны формы, которые могут принимать нитевидные нанокристаллы в зависимости от условий роста, и проведено их сравнение с экспериментальными данными в различных системах материалов A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$.
Поступила в редакцию: 25.04.2012
Принята в печать: 03.05.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 47, Issue 1, Pages 50–57
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613010107
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Г. Дубровский, М. А. Тимофеева, M. Tchernycheva, А. Д. Большаков, “Радиальный рост и форма полупроводниковых нитевидных нанокристаллов”, Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013), 53–59; Semiconductors, 47:1 (2014), 50–57
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{DubTimTch13}
\by В.~Г.~Дубровский, М.~А.~Тимофеева, M.~Tchernycheva, А.~Д.~Большаков
\paper Радиальный рост и форма полупроводниковых нитевидных нанокристаллов
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 1
\pages 53--59
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7802}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319339}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 47
\issue 1
\pages 50--57
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613010107}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7802
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i1/p53
    • Эта публикация цитируется в следующих 18 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025