Фотоэлектрический метод диагностики гетероструктур InGaN/GaN c множественными квантовыми ямами

Исследованы зависимости фототока гетероструктур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами от обратного смещения. Обнаружены характерные особенности, связанные с последовательным прохождением границы области объемного заряда через квантовые ямы исследуемой структуры. Экспериментально показано, что для каждой квантовой ямы существует область обратных смещений с отрицательной дифференциальной проводимостью, которая исчезает при увеличении энергии фотонов оптического возбуждения. Предполагается, что этот эффект обусловлен смещением края оптического поглощения в квантовой яме, которое происходит при частичной компенсации пьезоэлектрического поля в области квантовой ямы электрическим полем $p$–$n$-перехода.