Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 1, страницы 65–67 (Mi phts7804)  

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Оптическая резонансная идентификация дальнего туннелирования электронов между уровнями сверхрешетки в электрическом поле

А. А. Андронов, Е. П. Додин, Д. И. Зинченко, Ю. Н. Ноздрин

Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
Аннотация: Предложен способ диагностики взаимодействия электронных состояний в многослойных гетероструктурах в постоянном электрическом поле. В основе методики лежит измерение резонансного отклика амплитуды гармоники тока в гетероструктуре на воздействие модулированного лазерного излучения. В настоящей работе метод продемонстрирован при исследовании туннелирования между уровнями Ванье–Штарка в сверхрешетке с сильно связанными квантовыми ямами.
Поступила в редакцию: 16.05.2012
Принята в печать: 31.05.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 1, Pages 63–65
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261301003X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. А. Андронов, Е. П. Додин, Д. И. Зинченко, Ю. Н. Ноздрин, “Оптическая резонансная идентификация дальнего туннелирования электронов между уровнями сверхрешетки в электрическом поле”, Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013), 65–67; Semiconductors, 47:1 (2013), 63–65
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AndDodZin13}
\by А.~А.~Андронов, Е.~П.~Додин, Д.~И.~Зинченко, Ю.~Н.~Ноздрин
\paper Оптическая резонансная идентификация дальнего туннелирования электронов между уровнями сверхрешетки в электрическом поле
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 1
\pages 65--67
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7804}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319341}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 1
\pages 63--65
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261301003X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7804
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i1/p65
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025