К теории фотоэлектрического эффекта в поверхностно-варизонных полупроводниках

Построена и аналитически рассмотрена корректная математическая модель межзонной фотогенерации носителей слабым оптическим излучением в поверхностно-варизонных полупроводниках при резком изменении, в том числе ступенчатом, напряженности варизонного поля в пограничной к гомогенному слою переходной области. Проанализирована зависимость степени блокировки поверхностной рекомбинации фотоносителей от параметров варизонного приповерхностного слоя. Определены условия достижения предельной эффективности фотоэлектрического отклика полупроводников на слабое оптическое излучение за счет варизонного приповерхностного слоя.