Суперлинейная электролюминесценция в гетероструктурах на основе GaSb с высокими потенциальными барьерами

Исследована электролюминесценция в светодиодных изотипных и анизотипных гетероструктурах, выращенных методом жидкофазной эпитаксии, с высокими скачками потенциала в зоне проводимости $\Delta E_c$ на гетерогранице между узкозонной активной областью и широкозонным слоем. В исследуемых гетероструктурах наблюдались два пика электролюминесценции в диапазоне энергий фотонов 0.28–0.74 эВ при температурах $T$ = 300 и 77 K, для которых обнаружен суперлинейный рост интенсивности и оптической мощности излучения в 1.5–2 раза в диапазоне токов накачки 20–220 мА. Данный эффект объяснен образованием дополнительных электронно-дырочных пар вследствие ударной ионизации горячими электронами, разогретыми за счет скачка потенциала $\Delta E_c$ в зоне проводимости на гетерограницах $n$-AlGaAsSb/$n$-InGaAsSb и $n$-GaSb/$n$-InGaAsSb. Данный эффект может быть использован для повышения квантовой эффективности полупроводниковых излучателей (светодиодов, лазеров) среднего инфракрасного диапазона.