Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 1, страницы 83–86 (Mi phts7807)  
Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Влияние быстрой термообработки на вольт-амперные характеристики 4H-SiC-диодов с барьером Шоттки

П. А. Ивановa, Н. Д. Ильинскаяa, А. С. Потаповa, Т. П. Самсоноваa, А. В. Афанасьевb, В. А. Ильинb

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
PDF полного текста (284 kB) Список цитирования (8)
Аннотация: Исследовано влияние быстрого термического отжига (температура 600–800$^\circ$C, длительность 2 мин) на прямые вольт-амперные характеристики 4H-SiC-диодов с барьером Шоттки. В качестве металла контактов Шоттки использовались вольфрам, никель, хром и молибден, осажденные электронно-лучевым напылением в вакууме. Для разных металлов обнаружен разный характер влияния термообработки на высоту барьера и на разброс параметров контактов, характеризующий степень их однородности.
Поступила в редакцию: 04.06.2012
Принята в печать: 11.06.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 1, Pages 81–84
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613010132
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: П. А. Иванов, Н. Д. Ильинская, А. С. Потапов, Т. П. Самсонова, А. В. Афанасьев, В. А. Ильин, “Влияние быстрой термообработки на вольт-амперные характеристики 4H-SiC-диодов с барьером Шоттки”, Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013), 83–86; Semiconductors, 47:1 (2013), 81–84
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{IvaIliPot13}
\by П.~А.~Иванов, Н.~Д.~Ильинская, А.~С.~Потапов, Т.~П.~Самсонова, А.~В.~Афанасьев, В.~А.~Ильин
\paper Влияние быстрой термообработки на вольт-амперные характеристики 4\emph{H}-SiC-диодов с барьером Шоттки
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 1
\pages 83--86
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7807}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319345}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 1
\pages 81--84
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613010132}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7807
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i1/p83
    • Эта публикация цитируется в следующих 8 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025