Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 1, страницы 124–128 (Mi phts7814)  
Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Полупроводниковые лазеры с внутренней селекцией излучения

В. В. Золотарев, А. Ю. Лешко, А. В. Лютецкий, Д. Н. Николаев, Н. А. Пихтин, А. А. Подоскин, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, В. В. Шамахов, И. Н. Арсентьев, Л. С. Вавилова, К. В. Бахвалов, И. С. Тарасов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (376 kB) Список цитирования (8)
Аннотация: На основе гетероструктур InGaAs/GaAs/AlGaAs созданы лазерные диоды с встроенной глубокой дифракционной решеткой трапециевидной формы с большим периодом. Исследованы спектры электролюминесценции и стимулированного излучения, а также ватт-амперные характеристики лазерных диодов с дифракционной решеткой. Благодаря спектральной селективности дифракционной решетки достигнуто значительное сужение спектров и люминесценции, и стимулированного излучения. Максимальная выходная оптическая мощность составила 1 Вт при токе накачки 4 А. При максимальной мощности спектр генерации имел полуширину, равную $\sim$ 2 $\mathring{\mathrm{A}}$. Продемонстрировано сужение в десятки раз спектра генерации лазера с дифракционной решеткой по сравнению с спектром генерации лазера с резонатором Фабри–Перо.
Поступила в редакцию: 10.05.2012
Принята в печать: 21.05.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 1, Pages 122–126
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613010247
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. В. Золотарев, А. Ю. Лешко, А. В. Лютецкий, Д. Н. Николаев, Н. А. Пихтин, А. А. Подоскин, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, В. В. Шамахов, И. Н. Арсентьев, Л. С. Вавилова, К. В. Бахвалов, И. С. Тарасов, “Полупроводниковые лазеры с внутренней селекцией излучения”, Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013), 124–128; Semiconductors, 47:1 (2013), 122–126
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZolLesLyu13}
\by В.~В.~Золотарев, А.~Ю.~Лешко, А.~В.~Лютецкий, Д.~Н.~Николаев, Н.~А.~Пихтин, А.~А.~Подоскин, С.~О.~Слипченко, З.~Н.~Соколова, В.~В.~Шамахов, И.~Н.~Арсентьев, Л.~С.~Вавилова, К.~В.~Бахвалов, И.~С.~Тарасов
\paper Полупроводниковые лазеры с внутренней селекцией излучения
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 1
\pages 124--128
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7814}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319352}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 1
\pages 122--126
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613010247}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7814
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i1/p124
    • Эта публикация цитируется в следующих 8 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025