|
|
Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 2, страницы 147–167
(Mi phts7818)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 41 научных статьях (всего в 41 статьях)
IX международная конференция "КРЕМНИЙ-2012" , Санкт-Петербург, 9-13 июля 2012 г.
Излучение кремниевых нанокристаллов. Обзор
О. Б. Гусев, А. Н. Поддубный, А. А. Прокофьев, И. Н. Яссиевич Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Представлены основные экспериментальные результаты, полученные при исследовании фотолюминесценции кремниевых нанокристаллов, и теоретические методы, развитые для описания оптических процессов в них. Основное внимание уделено кремниевым нанокристаллам в матрице SiO$_2$, для которых выполнено наибольшее число работ. Подробно представлены два основных теоретических метода – многозонный метод эффективной массы и метод сильной связи, нашедшие широкое применение для моделирования различных процессов в наноструктурах. Описана также феноменологическая модель для экситона, автолокализованного на поверхности окисленного нанокристалла кремния, которая была недавно построена на основе экспериментальных результатов, полученных с помощью техники фемтосекундной спектроскопии.
Поступила в редакцию: 25.06.2012 Принята в печать: 28.06.2012
Образец цитирования:
О. Б. Гусев, А. Н. Поддубный, А. А. Прокофьев, И. Н. Яссиевич, “Излучение кремниевых нанокристаллов. Обзор”, Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013), 147–167; Semiconductors, 47:2 (2013), 183–202
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts7818 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i2/p147
|
|