|
|
Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 2, страницы 168–173
(Mi phts7819)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
IX международная конференция "КРЕМНИЙ-2012" , Санкт-Петербург, 9-13 июля 2012 г.
Моноизотопный кремний $^{28}$Si в спектроскопии спинового резонанса электронов, локализованных на донорах
А. А. Ежевскийa, С. А. Попковa, А. В. Сухоруковa, Д. В. Гуссейновb, В. А. Гавваc, А. В. Гусевc, N. V. Abrosimovd, H. Riemannd a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
b Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
c Институт химии высокочистых веществ РАН им. Г. Г. Девятых, г. Нижний Новгород
d Leibniz Institute for Crystal Growth,
D-12489 Berlin, Germany
Аннотация:
В моноизотопном кремнии $^{28}$Si, благодаря значительному сужению линий спектров ЭПР, исследована тонкая структура спектров мелкого донорного центра лития и глубокого донора Fe$^0$ ($S$ = 1), занимающих тетраэдрические междоузлия в решетке кремния. В случае донорного центра лития получены экспериментальные данные, подтверждающие роль внутренних деформаций в кристалле, при наблюдении спектров ЭПР основного 1$s$ $T_2$ и $E$ состояний при $T$ = 3.8–10 K с $g<$ 2.000. По угловым зависимостям ширины линии парамагнитного резонанса, соответствующей триплетному состоянию лития $T_{2z}$, исследована анизотропия распределения деформаций, имеющая, как оказалось, тетрагональный характер. Такая же анизотропия обнаружена и в случае введения в исходный кристалл ионов Fe$^0$ на основе исследования угловых зависимостей ширины линий ЭПР, обусловленных переходами -1 $\to$ 0 и 0 $\to$ +1 ($\Delta M_s$ = 1), в сравнении с переходом -1 $\to$ +1 ($\Delta M_s$ = 2).
Поступила в редакцию: 17.07.2012 Принята в печать: 20.07.2012
Образец цитирования:
А. А. Ежевский, С. А. Попков, А. В. Сухоруков, Д. В. Гуссейнов, В. А. Гавва, А. В. Гусев, N. V. Abrosimov, H. Riemann, “Моноизотопный кремний $^{28}$Si в спектроскопии спинового резонанса электронов, локализованных на донорах”, Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013), 168–173; Semiconductors, 47:2 (2013), 203–208
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts7819 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i2/p168
|
|