Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 2, страницы 168–173 (Mi phts7819)  

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

IX международная конференция "КРЕМНИЙ-2012" , Санкт-Петербург, 9-13 июля 2012 г.

Моноизотопный кремний $^{28}$Si в спектроскопии спинового резонанса электронов, локализованных на донорах

А. А. Ежевскийa, С. А. Попковa, А. В. Сухоруковa, Д. В. Гуссейновb, В. А. Гавваc, А. В. Гусевc, N. V. Abrosimovd, H. Riemannd

a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
b Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
c Институт химии высокочистых веществ РАН им. Г. Г. Девятых, г. Нижний Новгород
d Leibniz Institute for Crystal Growth, D-12489 Berlin, Germany
Аннотация: В моноизотопном кремнии $^{28}$Si, благодаря значительному сужению линий спектров ЭПР, исследована тонкая структура спектров мелкого донорного центра лития и глубокого донора Fe$^0$ ($S$ = 1), занимающих тетраэдрические междоузлия в решетке кремния. В случае донорного центра лития получены экспериментальные данные, подтверждающие роль внутренних деформаций в кристалле, при наблюдении спектров ЭПР основного 1$s$ $T_2$ и $E$ состояний при $T$ = 3.8–10 K с $g<$ 2.000. По угловым зависимостям ширины линии парамагнитного резонанса, соответствующей триплетному состоянию лития $T_{2z}$, исследована анизотропия распределения деформаций, имеющая, как оказалось, тетрагональный характер. Такая же анизотропия обнаружена и в случае введения в исходный кристалл ионов Fe$^0$ на основе исследования угловых зависимостей ширины линий ЭПР, обусловленных переходами -1 $\to$ 0 и 0 $\to$ +1 ($\Delta M_s$ = 1), в сравнении с переходом -1 $\to$ +1 ($\Delta M_s$ = 2).
Поступила в редакцию: 17.07.2012
Принята в печать: 20.07.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 2, Pages 203–208
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613020073
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. А. Ежевский, С. А. Попков, А. В. Сухоруков, Д. В. Гуссейнов, В. А. Гавва, А. В. Гусев, N. V. Abrosimov, H. Riemann, “Моноизотопный кремний $^{28}$Si в спектроскопии спинового резонанса электронов, локализованных на донорах”, Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013), 168–173; Semiconductors, 47:2 (2013), 203–208
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{EzhPopSou13}
\by А.~А.~Ежевский, С.~А.~Попков, А.~В.~Сухоруков, Д.~В.~Гуссейнов, В.~А.~Гавва, А.~В.~Гусев, N.~V.~Abrosimov, H.~Riemann
\paper Моноизотопный кремний $^{28}$Si в спектроскопии спинового резонанса электронов, локализованных на донорах
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 2
\pages 168--173
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7819}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319357}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 2
\pages 203--208
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613020073}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7819
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i2/p168
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025