Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 2, страницы 178–181 (Mi phts7821)  
IX международная конференция "КРЕМНИЙ-2012" , Санкт-Петербург, 9-13 июля 2012 г.

Восстановление фотоответа кремниевых фотодиодов после облучения в вакуумном ультрафиолете

В. В. Забродскийab, П. Н. Аруевab, В. П. Беликa, Б. Я. Берa, Д. Ю. Казанцевa, М. В. Дроздоваa, Н. В. Забродскаяa, М. С. Лазееваa, А. Д. Николенкоc, В. Л. Сухановa, В. В. Филимоновa, Е. В. Шерстневa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский государственный политехничесий университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия
c Институт ядерной физики им. Г. И. Будкера СО РАН, г. Новосибирск
PDF полного текста (1564 kB)
Аннотация: Проведено исследование пространственной однородности фотоответа кремниевых фотодиодов на основе $p$–$n$- и $n$–$p$-переходов через год после облучения на длине волны 121.6 нм, а также $n$–$p$-переходов через четыре года после облучения в области мягкого рентгена. Показано, что исследуемые кремниевые фотодиоды на основе $p$–$n$-переходов демонстрируют эффект восстановления фотоответа после облучения на длине волны 121.6 нм. У кремниевых фотодиодов на основе $n$–$p$-структур эффект восстановления фотоответа не был обнаружен.
Поступила в редакцию: 07.07.2012
Принята в печать: 20.07.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 2, Pages 213–216
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613020243
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. В. Забродский, П. Н. Аруев, В. П. Белик, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, М. В. Дроздова, Н. В. Забродская, М. С. Лазеева, А. Д. Николенко, В. Л. Суханов, В. В. Филимонов, Е. В. Шерстнев, “Восстановление фотоответа кремниевых фотодиодов после облучения в вакуумном ультрафиолете”, Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013), 178–181; Semiconductors, 47:2 (2013), 213–216
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZabAruBel13}
\by В.~В.~Забродский, П.~Н.~Аруев, В.~П.~Белик, Б.~Я.~Бер, Д.~Ю.~Казанцев, М.~В.~Дроздова, Н.~В.~Забродская, М.~С.~Лазеева, А.~Д.~Николенко, В.~Л.~Суханов, В.~В.~Филимонов, Е.~В.~Шерстнев
\paper Восстановление фотоответа кремниевых фотодиодов после облучения в вакуумном ультрафиолете
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 2
\pages 178--181
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7821}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319359}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 2
\pages 213--216
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613020243}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7821
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i2/p178
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025