Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 2, страницы 182–191 (Mi phts7822)  
Эта публикация цитируется в 9 научных статьях (всего в 9 статьях)

IX международная конференция "КРЕМНИЙ-2012" , Санкт-Петербург, 9-13 июля 2012 г.

Radiation effects in Si–Ge quantum size structures (review)

N. A. Sobolev

Departamento de Fisica & I3N, Universidade de Aveiro, 3810-193, Aveiro, Portugal
PDF полного текста (1467 kB) Список цитирования (9)
Аннотация: The article is dedicated to the review and analysis of the effects and processes occurring in Si–Ge quantum size semiconductor structures upon particle irradiation including ion implantation. Comparisons to bulk materials are drawn. The reasons of the enhanced radiation hardness of superlattices and quantum dots are elucidated. Some technological applications of the radiation treatment are reviewed.
Поступила в редакцию: 17.07.2012
Принята в печать: 20.07.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 2, Pages 217–227
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613020188
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: N. A. Sobolev, “Radiation effects in Si–Ge quantum size structures (review)”, Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013), 182–191; Semiconductors, 47:2 (2013), 217–227
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Sob13}
\by N.~A.~Sobolev
\paper Radiation effects in Si--Ge quantum size structures (review)
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 2
\pages 182--191
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7822}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319360}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 2
\pages 217--227
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613020188}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7822
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i2/p182
    • Эта публикация цитируется в следующих 9 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025