Кинетика отжига борсодержащих центров в кремнии, облученном электронами

Кинетика отжига пар B$_i$O$_i$, созданных облучением быстрыми электронами, изучается в пластинах кремния, выращенных методом Чохральского, с разным уровнем легирования бором. Обнаружено, что скорость отжига при фиксированной температуре монотонно увеличивается с ростом концентрации бора. Результаты описываются простой моделью, которая принимает во внимание взаимодействие межузельного бора с атомами кислорода и узельного бора. На основе этой модели вычислена температурная зависимость скорости диссоциации комплекса B$_i$O$_i$.