Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 2, страницы 195–198 (Mi phts7824)  
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

IX международная конференция "КРЕМНИЙ-2012" , Санкт-Петербург, 9-13 июля 2012 г.

Влияние примесей металлов на рекомбинационную активность дислокаций в мультикристаллическом кремнии

О. В. Феклисоваa, X. Yub, D. Yangb, Е. Б. Якимовa

a Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН
b Государственная ключевая лаборатория кремниевых материалов, Чжэцзянский университет, 310027 Ханьжоу, Китай
PDF полного текста (763 kB) Список цитирования (6)
Аннотация: Методом наведенного тока исследовано влияние атомов железа, меди и никеля, введенных при высокотемпературной диффузии, на рекомбинационные свойства дислокаций в мультикристаллическом кремнии. Показано, что влияние всех трех примесей качественно одинаково. Рекомбинационная активность дислокаций остается ниже предела обнаружения в режиме наведенного тока как в исходных образцах, так и после диффузии переходных металлов. Такое поведение дислокаций объясняется в предположении, что дислокации уже в исходных образцах насыщены примесями.
Поступила в редакцию: 17.07.2012
Принята в печать: 20.07.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 2, Pages 232–234
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613020097
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: О. В. Феклисова, X. Yu, D. Yang, Е. Б. Якимов, “Влияние примесей металлов на рекомбинационную активность дислокаций в мультикристаллическом кремнии”, Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013), 195–198; Semiconductors, 47:2 (2013), 232–234
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{FekYuYan13}
\by О.~В.~Феклисова, X.~Yu, D.~Yang, Е.~Б.~Якимов
\paper Влияние примесей металлов на рекомбинационную активность дислокаций в мультикристаллическом кремнии
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 2
\pages 195--198
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7824}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319362}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 2
\pages 232--234
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613020097}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7824
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i2/p195
    • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025