Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 2, страницы 199–205 (Mi phts7825)  
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

IX международная конференция "КРЕМНИЙ-2012" , Санкт-Петербург, 9-13 июля 2012 г.

Лазеры на мелких донорах в одноосно-деформированном кремнии

К. А. Ковалевскийa, Р. Х. Жукавинa, В. В. Цыпленковa, В. Н. Шастинa, Н. В. Абросимовb, Г. Риманb, С. Г. Павловc, Г.-В. Хьюберсc

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Институт роста кристаллов им. Лейбница, 12489 Берлин, Германия
c Институт исследования планет, DLR, 12489 Берлин, Германия
PDF полного текста (491 kB) Список цитирования (6)
Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований эффектов терагерцового стимулированного излучения доноров V группы (фосфор, сурьма, мышьяк, висмут) в одноосно-деформированном кремнии при их оптическом возбуждении излучением CO$_2$-лазера. Показано, что одноосная деформация сжатия кристалла в направлении [100] увеличивает коэффициент усиления и эффективность стимулированного излучения, значительно снижая пороговую интенсивность накачки. Измерены частоты и идентифицированы рабочие переходы доноров в деформированном кремнии. Дается теоретическая оценка зависимости разностной населенности рабочих состояний доноров от одноосной деформации сжатия в кристаллографическом направлении [100].
Поступила в редакцию: 17.07.2012
Принята в печать: 17.07.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 2, Pages 235–241
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613020152
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: К. А. Ковалевский, Р. Х. Жукавин, В. В. Цыпленков, В. Н. Шастин, Н. В. Абросимов, Г. Риман, С. Г. Павлов, Г.-В. Хьюберс, “Лазеры на мелких донорах в одноосно-деформированном кремнии”, Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013), 199–205; Semiconductors, 47:2 (2013), 235–241
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KovZhuTsy13}
\by К.~А.~Ковалевский, Р.~Х.~Жукавин, В.~В.~Цыпленков, В.~Н.~Шастин, Н.~В.~Абросимов, Г.~Риман, С.~Г.~Павлов, Г.-В.~Хьюберс
\paper Лазеры на мелких донорах в одноосно-деформированном кремнии
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 2
\pages 199--205
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7825}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319363}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 2
\pages 235--241
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613020152}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7825
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i2/p199
    • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025