Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 2, страницы 206–210 (Mi phts7826)  

Эта публикация цитируется в 13 научных статьях (всего в 13 статьях)

IX международная конференция "КРЕМНИЙ-2012" , Санкт-Петербург, 9-13 июля 2012 г.

Накопление структурных нарушений при облучении кремния ионами PF$_n^+$ различных энергий

К. В. Карабешкин, П. А. Карасёв, А. И. Титов

Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия
Аннотация: Экспериментально исследовано образование структурных нарушений в кремнии при его облучении атомарными и молекулярными ионами при комнатной температуре в широком диапазоне энергий. Во всех случаях вблизи поверхности проявляется сильный молекулярный эффект, обусловленный перекрытием каскадов смещений, создаваемых атомами, составлявшими молекулу. Теоретические оценки глубин, на которых могут играть роль различные нелинейные процессы, неплохо согласуются с экспериментальными данными. Расчеты также показали, что роль нелинейных энергетических пиков уменьшается с ростом энергии иона.
Поступила в редакцию: 17.07.2012
Принята в печать: 20.07.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 2, Pages 242–246
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613020115
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: К. В. Карабешкин, П. А. Карасёв, А. И. Титов, “Накопление структурных нарушений при облучении кремния ионами PF$_n^+$ различных энергий”, Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013), 206–210; Semiconductors, 47:2 (2013), 242–246
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KarKarTit13}
\by К.~В.~Карабешкин, П.~А.~Карасёв, А.~И.~Титов
\paper Накопление структурных нарушений при облучении кремния ионами PF$_n^+$ различных энергий
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 2
\pages 206--210
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7826}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319364}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 2
\pages 242--246
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613020115}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7826
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i2/p206
  • Эта публикация цитируется в следующих 13 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025