Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 2, страницы 211–215 (Mi phts7827)  

Эта публикация цитируется в 12 научных статьях (всего в 12 статьях)

IX международная конференция "КРЕМНИЙ-2012" , Санкт-Петербург, 9-13 июля 2012 г.

Кремний с повышенным содержанием одноатомных центров серы: получение и оптическая спектроскопия

Ю. А. Астровa, S. A. Lynchb, В. Б. Шуманa, Л. М. Порцельa, А. А. Маховаa, А. Н. Лодыгинa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b School of Physics and Astronomy, Cardiff University, United Kingdom
Аннотация: Изучался эффект высокотемпературного прогрева (при 1340$^\circ$C) образцов легированного серой кремния с последующей закалкой. Результат такой обработки исследовался с помощью измерений эффекта Холла в температурной области $T$ = 78–500 K. Обнаружено, что длительность прогрева существенно влияет на соотношение концентраций глубоких донорных центров серы разного типа. При относительно малых временах прогрева, $t$ = 2–10 мин, наблюдается значительное уменьшение концентрации квазимолекулярных центров S$_2$, а также комплексов $S_X$, тогда как плотность одноатомных центров S$_1$ растет. В то же время прогрев образцов сопровождается монотонным снижением во времени полной концентрации электрически активной серы. Проведенные исследования позволяют дать рекомендации относительно оптимальных условий получения образцов с высокой концентрацией S$_1$ центров. Спектры поглощения образцов показывают перспективы метода для задач наблюдения ряда квантово-оптических эффектов с участием глубоких доноров S$_1$ в кремнии.
Поступила в редакцию: 17.07.2012
Принята в печать: 17.07.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 2, Pages 247–251
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613020048
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Ю. А. Астров, S. A. Lynch, В. Б. Шуман, Л. М. Порцель, А. А. Махова, А. Н. Лодыгин, “Кремний с повышенным содержанием одноатомных центров серы: получение и оптическая спектроскопия”, Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013), 211–215; Semiconductors, 47:2 (2013), 247–251
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AstLynShu13}
\by Ю.~А.~Астров, S.~A.~Lynch, В.~Б.~Шуман, Л.~М.~Порцель, А.~А.~Махова, А.~Н.~Лодыгин
\paper Кремний с повышенным содержанием одноатомных центров серы: получение и оптическая спектроскопия
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 2
\pages 211--215
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7827}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319365}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 2
\pages 247--251
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613020048}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7827
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i2/p211
  • Эта публикация цитируется в следующих 12 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025