Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 2, страницы 216–222 (Mi phts7828)  
Эта публикация цитируется в 16 научных статьях (всего в 16 статьях)

IX международная конференция "КРЕМНИЙ-2012" , Санкт-Петербург, 9-13 июля 2012 г.

Упорядоченные массивы наностержней оксида цинка на кремниевых подложках

А. Н. Редькин, М. В. Рыжова, Е. Е. Якимов, А. Н. Грузинцев

Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, 142432 Черноголовка, Россия
PDF полного текста (778 kB) Список цитирования (16)
Аннотация: Обобщены результаты экспериментальных исследований по газофазному выращиванию из элементов упорядоченных массивов наностержней оксида цинка на кремниевых подложках. Представлена модель “самокаталитического” роста наностержней ZnO по механизму пар-жидкость-кристалл, в которой роль катализатора направленного роста выполняют капли жидкого цинка. Разработанный метод позволяет осаждать упорядоченные массивы наностержней оксида цинка на кремниевых подложках различной ориентации без предварительного нанесения металла-катализатора или тонкого зародышевого слоя ZnO. Рассмотрено влияние различных факторов на скорость роста, размеры, форму и упорядоченное расположение наностержней ZnO. Полученные наностержни оксида цинка представляют собой высокочистые монокристаллы с малым содержанием точечных дефектов, пригодные для практического применения в оптоэлектронике, сенсорной и микросистемной технике.
Поступила в редакцию: 17.07.2012
Принята в печать: 20.07.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 2, Pages 252–258
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613020176
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Н. Редькин, М. В. Рыжова, Е. Е. Якимов, А. Н. Грузинцев, “Упорядоченные массивы наностержней оксида цинка на кремниевых подложках”, Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013), 216–222; Semiconductors, 47:2 (2013), 252–258
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{RedYevYak13}
\by А.~Н.~Редькин, М.~В.~Рыжова, Е.~Е.~Якимов, А.~Н.~Грузинцев
\paper Упорядоченные массивы наностержней оксида цинка на кремниевых подложках
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 2
\pages 216--222
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7828}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319366}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 2
\pages 252--258
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613020176}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7828
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i2/p216
    • Эта публикация цитируется в следующих 16 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025