Электронные уровни и люминесценция дислокационных сеток, полученных гидрофильным сращиванием пластин кремния

Локальные энергетические уровни, обусловленные дислокациями на интерфейсе сращённых пластин кремния $n$- и $p$-типа проводимости, исследованы методами DLTS, а также новым методом детектирования примесной люминесценции, стимулированной заполнением электронных состояний (Pulsed-TREL) электрическими импульсами. Установлено, что за полосу $D1$ дислокационной люминесценции как в $n$-, так и в $p$-образцах ответственны только мелкие уровни дислокационной сетки с энергиями активации около $\sim$ 0.1 эВ. Заполнение глубоких уровней не оказывает влияния на интенсивность полосы $D1$. Предложена модель парных нейтральных центров захвата носителей, объясняющая разницу между энергетическим положением полосы $D1$ (0.8 эВ) и межуровневым энергетическим расстоянием (0.97 эВ) кулоновским взаимодействем между захваченными на них носителями.