Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 2, страницы 228–232 (Mi phts7830)  

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

IX международная конференция "КРЕМНИЙ-2012" , Санкт-Петербург, 9-13 июля 2012 г.

Закономерности образования дислокационных сеток на границе сращённых пластин Si(001)

В. И. Вдовин, Е. В. Убыйвовк, О. Ф. Вывенко

Санкт-Петербургский государственный университет
Аннотация: Методом просвечивающей электронной микроскопии выполнено исследование дислокационных сеток в структурах с гидрофильным соединением пластин Si(001). Наблюдались сетки с различной геометрией и типом доминирующих дислокаций. Один тип сеток, типичный для сращённых структур, формируется на основе квадратной сетки винтовых дислокаций и содержит систему однонаправленных 60-градусных дислокаций зигзагообразной формы. Установлено, что такие дислокационные сетки являются плоскими в структурах с азимутальной разориентацией пластин более 2$^\circ$, а при меньших углах разориентации – трехмерными. Уникальная сетка другого типа образована только 60-градусными дислокациями, преобладающая доля которых вытянута вдоль одного направления, не совпадающего с направлениями $\langle$110$\rangle$ в плоскости соединения, и имеет ряд специфических особенностей, объяснение которых невозможно в рамках общепринятых представлений.
Поступила в редакцию: 17.07.2012
Принята в печать: 17.07.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 2, Pages 264–268
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261302022X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. И. Вдовин, Е. В. Убыйвовк, О. Ф. Вывенко, “Закономерности образования дислокационных сеток на границе сращённых пластин Si(001)”, Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013), 228–232; Semiconductors, 47:2 (2013), 264–268
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{VdoUbyVyv13}
\by В.~И.~Вдовин, Е.~В.~Убыйвовк, О.~Ф.~Вывенко
\paper Закономерности образования дислокационных сеток на границе сращённых пластин Si(001)
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 2
\pages 228--232
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7830}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319368}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 2
\pages 264--268
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261302022X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7830
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i2/p228
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025