|
|
Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 2, страницы 228–232
(Mi phts7830)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
IX международная конференция "КРЕМНИЙ-2012" , Санкт-Петербург, 9-13 июля 2012 г.
Закономерности образования дислокационных сеток на границе сращённых пластин Si(001)
В. И. Вдовин, Е. В. Убыйвовк, О. Ф. Вывенко Санкт-Петербургский государственный университет
Аннотация:
Методом просвечивающей электронной микроскопии выполнено исследование дислокационных сеток в структурах с гидрофильным соединением пластин Si(001). Наблюдались сетки с различной геометрией и типом доминирующих дислокаций. Один тип сеток, типичный для сращённых структур, формируется на основе квадратной сетки винтовых дислокаций и содержит систему однонаправленных 60-градусных дислокаций зигзагообразной формы. Установлено, что такие дислокационные сетки являются плоскими в структурах с азимутальной разориентацией пластин более 2$^\circ$, а при меньших углах разориентации – трехмерными. Уникальная сетка другого типа образована только 60-градусными дислокациями, преобладающая доля которых вытянута вдоль одного направления, не совпадающего с направлениями $\langle$110$\rangle$ в плоскости соединения, и имеет ряд специфических особенностей, объяснение которых невозможно в рамках общепринятых представлений.
Поступила в редакцию: 17.07.2012 Принята в печать: 17.07.2012
Образец цитирования:
В. И. Вдовин, Е. В. Убыйвовк, О. Ф. Вывенко, “Закономерности образования дислокационных сеток на границе сращённых пластин Si(001)”, Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013), 228–232; Semiconductors, 47:2 (2013), 264–268
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts7830 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i2/p228
|
|