|
|
Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 2, страницы 233–238
(Mi phts7831)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
IX международная конференция "КРЕМНИЙ-2012" , Санкт-Петербург, 9-13 июля 2012 г.
Оптические свойства кремния с высоким содержанием бора
Л. И. Хируненко, Ю. В. Помозов, М. Г. Соснин Институт физики НАН Украины, г. Киев
Аннотация:
В кремнии с высоким содержанием бора и кислорода после воздействия света со спектральным составом, близким к солнечному излучению, интенсивностью 70–80 мВт/см$^2$, обнаружено появление дефекта, которому при гелиевых температурах соответствует полоса поглощения 1026.7 cм$^{-1}$. Показано, что компонентами дефекта являются атомы бора и кислорода. Дефект возникает при наличии значительной концентрации свободных носителей тока, возникающих вследствие воздействия света или термообработок при протекании слабых токов через образец. Предполагается, что дефект может возникать как в результате прямого взаимодействия компонент, так и через предвестники стабильной его формы. Показано, что легирование кремния германием снижает эффективность образования дефекта, которому соответствует выявленное поглощение.
Поступила в редакцию: 17.07.2012 Принята в печать: 20.07.2012
Образец цитирования:
Л. И. Хируненко, Ю. В. Помозов, М. Г. Соснин, “Оптические свойства кремния с высоким содержанием бора”, Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013), 233–238; Semiconductors, 47:2 (2013), 269–274
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts7831 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i2/p233
|
|