Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 2, страницы 233–238 (Mi phts7831)  

Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

IX международная конференция "КРЕМНИЙ-2012" , Санкт-Петербург, 9-13 июля 2012 г.

Оптические свойства кремния с высоким содержанием бора

Л. И. Хируненко, Ю. В. Помозов, М. Г. Соснин

Институт физики НАН Украины, г. Киев
Аннотация: В кремнии с высоким содержанием бора и кислорода после воздействия света со спектральным составом, близким к солнечному излучению, интенсивностью 70–80 мВт/см$^2$, обнаружено появление дефекта, которому при гелиевых температурах соответствует полоса поглощения 1026.7 cм$^{-1}$. Показано, что компонентами дефекта являются атомы бора и кислорода. Дефект возникает при наличии значительной концентрации свободных носителей тока, возникающих вследствие воздействия света или термообработок при протекании слабых токов через образец. Предполагается, что дефект может возникать как в результате прямого взаимодействия компонент, так и через предвестники стабильной его формы. Показано, что легирование кремния германием снижает эффективность образования дефекта, которому соответствует выявленное поглощение.
Поступила в редакцию: 17.07.2012
Принята в печать: 20.07.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 2, Pages 269–274
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613020127
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Л. И. Хируненко, Ю. В. Помозов, М. Г. Соснин, “Оптические свойства кремния с высоким содержанием бора”, Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013), 233–238; Semiconductors, 47:2 (2013), 269–274
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KhiPomSos13}
\by Л.~И.~Хируненко, Ю.~В.~Помозов, М.~Г.~Соснин
\paper Оптические свойства кремния с высоким содержанием бора
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 2
\pages 233--238
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7831}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319369}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 2
\pages 269--274
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613020127}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7831
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i2/p233
  • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025