Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 2, страницы 251–254 (Mi phts7834)  
IX международная конференция "КРЕМНИЙ-2012" , Санкт-Петербург, 9-13 июля 2012 г.

Электрически активные центры в кремнии, имплантированном ионами кислорода

А. С. Лошаченкоa, О. Ф. Вывенкоa, Е. И. Шекb, Н. А. Соболевb

a Научно-исследовательский институт физики им. В. А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (242 kB)
Аннотация: Методом нестационарной емкостной спектроскопии впервые исследованы электрически активные уровни в $p$-Cz-Si, имплантированном ионами кислорода и отожженном в хлорсодержащей атмосфере. Измерены температурные зависимости скорости термической эмиссии дырок с уровней в валентную зону, и исследовано влияние условий отжига на концентрацию образовавшихся уровней. Обнаруженные нами глубокие и мелкие уровни в образцах с дислокационной люминесценцией достаточно близки по своим параметрам к уровням, ранее наблюдавшимся в образцах с протяженными дефектами, полученных различными методами (деформация, образование кислородных преципитатов и прямое сращивание пластин). Некоторые отличия в этих параметрах обусловлены изменениями полей напряжений от протяженных дефектов, обусловленными конкретными технологическими условиями их формирования.
Поступила в редакцию: 17.07.2012
Принята в печать: 20.07.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 2, Pages 285–288
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613020164
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. С. Лошаченко, О. Ф. Вывенко, Е. И. Шек, Н. А. Соболев, “Электрически активные центры в кремнии, имплантированном ионами кислорода”, Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013), 251–254; Semiconductors, 47:2 (2013), 285–288
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LosVyvShe13}
\by А.~С.~Лошаченко, О.~Ф.~Вывенко, Е.~И.~Шек, Н.~А.~Соболев
\paper Электрически активные центры в кремнии, имплантированном ионами кислорода
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 2
\pages 251--254
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7834}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319372}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 2
\pages 285--288
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613020164}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7834
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i2/p251
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025